電子光科学領域・エレクトロニクスコース

固体電子工学講座 金島准教授グループ

  • HOME »
  • 固体電子工学講座 金島准教授グループ

About

 半導体素子は,微細化による高速・高集積化が進められてきました.しかし,その微細化も限界が見え始めてきました.しかし,IoT(モノのインターネット)など,半導体素子へのニーズはとどまることなく,さらなる高性能化が求められています.

そこで,さらなるトランジスタの高性能化を目指し,半導体基板として,従来のSi基板よりも高い移動度を持つGe基板を用い,さらに良好な界面,高い比誘電率そして新しいトランジスタ構造を実現するために,低温でゲート絶縁膜のエピタキシャル成長を提案しています.

すでに, 我々のグループは,図1のLa2O3/Ge(111)の断面TEM(透過型顕微鏡写真)像に示されるように,350℃という低温でエピタキシャル成長に成功しており,さらに同じ結晶構造のドープ層を積層することで,高い安定性と良好な結晶ゲート絶縁膜を報告しています.さらに,図2に示すようなトランジスタの作製に成功しており,アニール効果の解明,構造を工夫することで,特性のさらなる向上について研究を行っています.

メンバー

准教授 金島岳
M2 森 悠
B4 高山 祐太郎
B4 東飛祐

研究テーマ

主要実験装置

PLD装置(高真空チャンバ、ArFエキシマレーザ (193 nm))
電気特性評価装置
半導体パラメータアナライザ
C-Vプロッタ
フォトリソグラフィー装置
抵抗加熱蒸着、RFスパッタなど各種製膜装置

 

研究成果

アクセス

PAGETOP
Powered by WordPress & BizVektor Theme by Vektor,Inc. technology.