電子光科学領域・エレクトロニクスコース

固体電子工学講座 金島准教授グループ

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 半導体素子は,微細化による高速・高集積化が進められてきました.しかし,その微細化も限界が見え始めてきました.しかし,IoT(モノのインターネット)など,半導体素子へのニーズはとどまることなく,さらなる高性能化が求められています.

そこで,さらなるトランジスタの高性能化を目指し,半導体基板として,従来のSi基板よりも高い移動度を持つGe基板を用い,さらに良好な界面および高い比誘電率を実現するために,ゲート絶縁膜のエピタキシャル成長を提案しています.

すでに, 我々のグループは,図1のLa2O3/Ge(111)の断面TEM(透過型顕微鏡写真)像に示されるように,エピタキシャル成長に成功しており,さらにドープ層を積層することで,高い安定性と良好な膜特性を報告しています.さらに,図2に示すようなトランジスタの作製に成功し,特性のさらなる向上について研究を行っています.

メンバー

准教授 金島岳
M2 古荘仁久
B4 東飛祐
B4 三宅諒也

 
 

研究テーマ

主要実験装置

PLD装置(高真空チャンバ、ArFエキシマレーザ (193 nm))
電気特性評価装置
半導体パラメータアナライザ
C-Vプロッタ
フォトリソグラフィー装置
抵抗加熱蒸着、RFスパッタなど各種製膜装置

 

研究成果

アクセス

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